SSD Samsung 750 EVO

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Elegir un disco SSD adecuado no siempre es fácil porque es una tecnología nueva que lleva solo unos pocos años en el mercado, y menos de dos años a unos precios razonables, y no dejan de bajar en los últimos meses. Por eso al final os daremos unas indicaciones para elegir el SSD por calidad/precio más adecuado a vuestras necesidades o lo que queráis gastaros en uno si es que buscáis el más barato.

Los SSD son ideales para portátiles como forma de mejorar el rendimiento en Macbook Pros y portátiles en general, ya que los Macbook Air y Ultrabooks se venden con este tipo de almacenamiento (bajo consumo y arranque rápido como grandes ventajas). Especialmente hay que buscar los que tienen menor consumo en reposo, de tan solo unos milivátios.
Los discos de 240 a 256 GB son los que van a tener los precios más interesantes para la mayoría de usuarios. Los parámetros de velocidad indicados son el secuencial y el de lectura de archivos de tamaño 4 KB, aunque ni uno ni otro reflejan el uso real en el día a día. Hay que tener en cuenta que la mejora de los SSD proviene ante todo de los tiempos mínimos de acceso a la información y de una mayor velocidad de leer y escribir archivos de pequeño tamaño.

Con el Samsung 750 EVO 250 GB seguramente estamos ante el SSD más codiciado del mercado por su fiabilidad y estupendo precio para lo que es capaz de ofrecernos. Aunque podemos comprar con hasta 4 TB de capacidad, el equilibrio entre precio/GB/prestaciones nos lo ofrece el modelo de 250 GB.

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Este SSD lo podemos usar sin problemas con ordenadores Windows, Mac y Linux, ofrece escritura y lectura aleatoria de 97000 y 70000 IOPS respectivamente, duración de 75 TB, tecnología RAPID para poder mejorar el rendimiento usando parte de la memoria RAM del equipo que no estamos usando en cada momento, y por supuesto el control que otorga a nivel de rendimiento, optimización y cuidado del disco SSD por contar con su propio y reputado controlador.

Arquitectura 3D V-NAND


La exclusiva e innovadora arquitectura Samsung 3D V-NAND supone una revolución en el mundo de las memorias flash en términos de densidad, rendimiento y resistencia. Las memorias 3D V-NAND se fabrican apilando verticalmente 32 capas de celdas. Así, se consigue mayor densidad y rendimiento con un menor consumo energético.

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Trabaja más rápido gracias a TurboWrite

La tecnología TurboWrite te ofrece una óptima experiencia de usuario gracias a su gran rendimiento de lectura / escritura. La unidad SSD 850 EVO de Samsung proporciona una velocidad secuencial de lectura de 540 MB/s y de escritura de 520 MB/s, las más altas dentro de su categoría. Además, mejorará el rendimiento general en todos los QD de tu ordenador. Disfruta de una experiencia de usuario un 10% más satisfactoria* que con la anterior SSD 840 EVO, así como un 1,9x más rápida que en los anteriores modelos de 120 / 250 GB**.
* PCmark7 (250 GB): 6.700 (840 EVO) > 7.600 (850 EVO)
** Escritura aleatoria (QD32,120 GB): 36.000 IOPS (840 EVO) > 88.000 IOPS (850 EVO)

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Potencia y rendimiento

El software Magician de esta unidad SSD ofrece el doble de rendimiento* en el procesado de datos al utilizar la memoria DRAM libre del ordenador como memoria caché. El nuevo software de Samsung es capaz de mejorar el uso de memoria máximo en el modo de RAPID, desde 1 GB (lo que ofrecía la versión 840 EVO), hasta los 4 GB que ofrece el modelo 850 EVO, con solo implementar 16 GB de DRAM. Además, disfrutarás del doble de potencia* en cualquier QD aleatorio.
* PCMARK7 RAW (250 GB): 7.500 > 15.000 (Rapid mode)

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Resistencia garantizada


Las unidades SSD 850 EVO duplican el TBW* de la anterior generación 840 EVO**. Proporcionan un rendimiento constante mejorado de hasta el 30% a pesar de la degradación, demostrando ser una de las unidades SSD más fiables del mercado***. Cuentan con 5 años de garantía.
* TBW: Bytes totales escritos
** TBW: 43 (840 EVO) > 75 (850 EVO 120 / 250 GB),150 (850 EVO 500 / 1 TB)
*** Rendimiento constante 250 GB): 3.300 IOPS (840 EVO) > 6.500 IOPS (850 EVO), Rendimiento medido tras un test de “escritura aleatoria” de 12 horas.

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Trabaja por más tiempo


Trabaja en tu portátil durante mucho más tiempo. La unidad SSD 850 EVO es un 25% más eficiente que el modelo 840 EVO anterior durante el proceso de escritura* gracias a que la nueva memoria flash 3D V-NAND consume la mitad de energía que la anterior memoria Planar 2D NAND.
* Consumo (250 GB): 3,2 Watt (840 EVO) > 2,4 Watt (850 EVO)

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Protege tus datos con una encriptación más segura


La unidad SSD 850 EVO cuenta con un motor de encriptado basado en hardware AES de 256 bits que mantendrá a salvo tu información sin reducir el rendimiento, cumpliendo con la normativa TCG Opal 2.0. Además, es totalmente compatible con Microsoft e-drive IEEE1667, por lo que tu información estará siempre segura.

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Olvídate del sobrecalentamiento


La protección Dynamic Thermal Guard de la unidad SSD 850 EVO mantiene la temperatura óptima para proteger la integridad de tus datos. La temperatura disminuye si se detecta un sobrecalentamiento, asegurando así la máxima protección de tu equipo.

Instalación sencilla


Migra todos tus datos y aplicaciones desde tu disco duro a la nueva unidad SSD 850 EVO en tres sencillos pasos. Gracias al software Samsung Magician optimizarás y gestionarás tu sistema de la forma más eficiente.

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Componentes de la mayor calidad

Samsung es el único fabricante de unidades SSD que diseña y fabrica directamente todos los componentes. Así, puede garantizar que sus tarjetas ofrecen un increíble rendimiento, bajo consumo con hasta 1 GB de memoria caché LPDDR2 DRAM y la máxima eficiencia energética gracias al controlador MEX / MGX.

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Ficha Técnica
Peso y dimensiones
Ancho: 10 cm
Profundidad: 6,8 mm
Altura: 6,99 cm
Peso: 45 g

Control de energía
Consumo de energía (lectura): 2,1 W
Consumo de energía (escritura): 2,4 W

Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
Vibración operativa: 1500 G

Diseño
Interno: Si
SSD form factor: 2.5"
Color del producto: Negro

Desempeño
Disco de estado sólido, capacidad: 250 GB, 500GB, 1TB, 2TB, 4TB
Interfaces de disco de estado sólido: Serial ATA III
Velocidad de lectura: 540 MB/s
Velocidad de escritura: 520 MB/s
Velocidad de transferencia de datos: 6 Gbit/s
Lectura aleatoria (4KB): 97000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB): 88000 IOPS
Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
Soporte TRIM: Si
Número de modos de resolución de movimiento: Samsung MGX
Tiempo medio entre fallos: 1500000 h

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